學生:黃伯嘉 2012/11/23 •背景知識 •前言 •實驗方法 •結果與討論 •結論 Outline 2 背景知識 3 SnS是窄能隙的 IV – VI 族半導體, SnS的能隙在 Si(1.12 eV)和砷化鎵(1.43 eV)。它具有較高的吸收 係數(α>104 cm –1),擁有優秀的太陽光譜機收能隙 ...
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